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上海硅知识产权交易中心有限公司(SSIPEX)是工业和信息化部、上海市为促进我国集成电路设计业成长,提升电子信息产业知识产权水平,培育物联网等新兴产业发展而建立的行业性公共服务机构之一。

Shanghai Silicon Intellectual Property Exchange Co., Ltd. (SSIPEX)was founded by the Ministry of Industry and Information, Shanghai Municipal Commission of Economy and Informatization. It is one of the industrial public service organizations to improve China's IC design industry, to boost intellectual property level of electronic information industry and to foster new industry such as internet of things

Conversant起诉Samsung存储专利诉讼浅析
Memory patent litigation(Conversant vs Samsung)

Conversant起诉Samsung存储专利诉讼浅析
Memory patent litigation(Conversant vs Samsung)

 


 

Conversant IP Management Inc(下文简称Conversant),于2015年2月26日在德克萨斯州东部地区法院对Samsung旗下包括三星半导体、三星电子、三星通信等多家子公司发起了专利侵权诉讼。Conversant 即早期的Mosaid Technologies公司,在半导体和通信技术领域拥有15年以上的专利授权经验,拥有大量的专利组合。该诉讼涉及三星的产品包括Apple A7 APL0698 SoC, Exynos 5410 Mobile Application Processors, K4B2G0846D DDR3 SDRAM 集成电路和相关的集成电路。
涉诉专利共15件。15件专利的基本信息如下表所示:

 


专利号

专利名称

原申请人

授权日

过期日

US7945885

Managing power on integrated circuits using power islands

Mosaid

17 5月 2011

02 5月 2023

US7996811

Managing power on integrated circuits using power islands

Mosaid

09 8月 2011

02 5月 2023

US6223331

Semiconductor circuit design method for employing spacing constraints and circuits thereof

Micron

24 4月 2001

25 7月 2018

US7915933

Circuit for clamping current in a charge pump

Mosaid

29 3月 2011

25 11月 2026

US7940081

Low leakage and data retention circuitry

Mosaid

10 5月 2011

04 7月 2024

US7982532

Systems and methods for minimizing static leakage of an integrated circuit

Mosaid

19 7月 2011

13 11月 2029

US8253438

Low leakage and data retention circuitry

Mosaid

28 8月 2012

04 7月 2024

RE44218

Semiconductor memory device for controlling recovery time

658868 N.B.Inc

14 5月 2013

19 6月 2024

US5796675

Synchronous memory device having dual input registers of pipeline structure in data path

Hynix

18 8月 1998

03 2月 2016

US6107138

Method for fabricating a semiconductor device having a tapered contact hole

Hynix

22 8月 2000

01 11月 2015

US6209056

Semiconductor memory device having a plurality of bank sections distributed in a plurality of divided memory cell arrays

Hynix

27 3月 2001

24 6月 2016

US6306743

Method for forming a gate electrode on a semiconductor substrate

Hynix

23 10月 2001

12 11月 2020

US6313029

Method for forming multi-layer interconnection of a semiconductor device

Hynix

06 11月 2001

24 6月 2019

US6943602

Delay locked loop and locking method thereof

Hynix

13 9月 2005

24 10月 2024

US7101791

Method for forming conductive line of semiconductor device

Hynix

05 9月 2006

19 12月 2023

从上表中可以看出,涉诉的专利包括了存储技术的多个技术领域,如DLL、多层互联、传输线、数据保持、电荷泵电路、电源岛等等。
随着互联网+大数据时代的到来,存储器的发展应用和处理器一起成为支撑新的应用的核心和基础,存储器专利也成为科技公司的竞争利器。根据iRunway的报告,近年来存储器专利诉讼案与日剧增。美光(Micron)、三星电子(Samsung Electronics)、东芝(Toshiba)、IBM和英特尔(Intel)在存储器专利与应用占比最高,合计共占25%;新帝(SanDisk)、美光、英特尔则拥有最多有发展性的专利。 在DRAM方面,Conversant、高通(Qualcomm)、Rambus、Round Rock Research等科技与智能财产授权公司拥有大量具发展性的专利,Conversant与Round Rock同时也称霸NAND Flash专利领域。

 

 

 

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