IBM公司是截止2015年9月，TSV技术领域国际专利家族申请公开达到114个。IBM在半导体领域的研发实力十分强劲，其在前道工艺、封装以及中道工艺上都有大量专利布局，他也是较早进行TSV技术研发和应用开发的企业之一。

 

专利申请/公开趋势

图1 IBM公司TSV技术国际专利申请/公开趋势

图1是IBM公司TSV技术领域国际专利申请/公开趋势图，其中蓝色趋势线是TSV技术领域国际专利的申请趋势，红色趋势线是TSV技术领域国际专利的公开趋势。由图可知，IBM公司TSV技术领域的国际专利申请最早出现在2007年，而由于专利申请公开的延后，IBM公司第一篇与TSV技术相关的专利申请公开出现在2009年。由上图中的IBM公司TSV技术申请趋势可知，从2008年开始，IBM公司在该领域的专利申请量一直较大，其中2010年的年申请量达到22件，最近几年由于公开延迟，数据失真明显，但从公开趋势图可以看出， IBM公司在TSV技术领域的国际专利申请保持在高位，表面其研发在持续投入，并布局了大量的专利。

 

专利研发地分析

图2 IBM公司TSV技术国际专利优先权国分析

 

从图2 IBM公司TSV技术国际专利优先权国分析可以看出，TSV技术专利优先权分布完全集中在美国，此外在日本有少量专利优先权申请。

 

专利申请地分析

图3 IBM公司TSV技术国际专利公开国分布

 

图3是IBM公司TSV技术领域国际专利公开国分布情况，由图可知，美国是IBM公司TSV技术专利申请的主要区域，约占TSV整体全球专利布局总量的98%（114个专利家族中的112个），其次在中国、日本、中国台湾等地有一定专利布局，但总体数量不多，表明IBM不仅研发地集中在美国，其专利布局地也在美国。

 

IPC分布分析

图4-1 IBM公司TSV技术国际专利IPC分布

图4-2 IBM公司TSV技术国际专利IPC随时间分布

 

从图4-1 IBM公司TSV技术国际专利IPC分布可以看出，TSV技术领域的专利主要集中在H01L21（专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备）和H01L23（半导体或其他固态器件的零部件）这两个领域，分布达到88件和79件，此外在H01L29（专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒的半导体器件）、H01L25（由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件）等领域也有较多专利布局，对应的关键技术主要也为器件结构、工艺制造以及技术应用等领域。

图4-2的IPC随时间分布可以看出各项技术的研发基本同步进行，总体研发开始时间比台积电要晚1年左右，大概从2010年开始进入关键研发期，知识产权布局较多。

 

CPC分布分析

图5 IBM公司TSV技术国际专利CPC分布

从图5 IBM公司TSV技术国际专利CPC分布可以看出，TSV技术领域的专利主要集中在H01L-021（内部导电连接相关技术或结构）、H01L-023（半导体的细节及固态器件）、H01L-2924（半导体或固态器件的导电或绝缘覆盖设计或安排）、H01L-2224（半导体器件的封装组件）等，与IPC分类比较类似，其对应的内容也为器件结构、工艺制造以及技术应用等领域。

 

技术聚类分析

图5-1 IBM公司TSV技术国际专利技术概念聚类之一

图5-2 IBM公司TSV技术国际专利技术概念聚类之二

从图5-1 和图5-2 TSV技术国际专利技术概念聚类可以看出，TSV技术的国际专利申请主要涉及与仿真技术；通孔、侧壁技术；与填充相关的种子层、介电材料技术；与芯片减薄相关的背面减薄、研磨技术等；产品良率相关的技术等。

 

共同专利权人分析

图6 IBM公司TSV技术国际专利共同专利权人分析

 

从图6 IBM公司TSV技术国际专利共同专利权人分析可以看出，IBM 公司和Global Foundry以及Ultratech在TSV技术领域存在较多的合作，或者存在技术、专利的转移交易。