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上海硅知识产权交易中心有限公司(SSIPEX)是工业和信息化部、上海市为促进我国集成电路设计业成长,提升电子信息产业知识产权水平,培育物联网等新兴产业发展而建立的行业性公共服务机构之一。

Shanghai Silicon Intellectual Property Exchange Co., Ltd. (SSIPEX)was founded by the Ministry of Industry and Information, Shanghai Municipal Commission of Economy and Informatization. It is one of the industrial public service organizations to improve China's IC design industry, to boost intellectual property level of electronic information industry and to foster new industry such as internet of things

相变存储器简介
Preliminary analysis of PCRAM technology and patent


相变存储器,又称PCM或PCRAM,是利用特殊材料在晶态和非晶态之间相互转化时所表现出来的导电性差异来存储数据的,通常是利用硫族化合物在晶态和非晶态巨大的导电性差异来存储数据的一种信息存储装置。图1中的原理图给出了一种典型GST PCM器件的结构。一个电阻连接在GST层的下方。加热/熔化过程只影响该电阻顶端周围的一小片区域。擦除/RESET脉冲施加高电阻即逻辑0,在器件上形成一片非晶层区域。擦除/RESET脉冲比写/SET脉冲要高、窄和陡峭。SET脉冲用于置逻辑1,使非晶层再结晶回到结晶态。


说明: 图1
图1. PCM器件的典型结构


英文由上至下依次为:顶部电极、晶态GST、α/晶态GST[4]、热绝缘体、电阻(加热器)、底部电极。
目前,PCRAM被认为是最有可能取代目前的SRAM、DRAM和FLASH等当今主流产品而成为未来存储器的主流产品,和最先成为商用产品的下一代半导体存储器件之一。考虑到PCRAM的广阔应用前景,国际如Intel、Samsung、ST等大公司都投入大量的财力和人力用于研发,目前已取得显著成果。
通过对国内相变存储的专利检索,可以看出目前国内相变存储专利前20名专利申请人。具体信息如下图2所示。



图2 国内PCRAM专利申请人前20名

 

关于更多的关于相变存储的国内国际专利布局信息,将于后续的文章中陆续分享。

 

 

 

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