2015年11月5日，美国特拉华州的专利授权公司North Star Innovations Inc向美国特拉华州地方法院控告台湾的DRAM半导体制造商南亚科技公司（Nanya Technology Corporation）及其美国子公司（Nanya Technology Corp. USA）侵犯其五件DRAM电路专利，专利分别为US 5,892,777、US 6,127,875、US6,157,583、US 6,372,638、US6,492,686。本案五件涉诉专利的原申请人均为Motorola Inc.，并由Motorola拆分出的子公司飞思卡尔半导体（Freescale Semiconductor）取得后，最后移转至North Star Innovations。

 

专利号	专利名称
US 5,892,777	Apparatus and method for observing the mode of a memory device
US 6,127,875	Complimentary double pumping voltage boost converter
US6,157,583	Integrated circuit memory having a fuse detect circuit and method therefore
US 6,372,638	Method for forming a conductive plug between conductive layers of an integrated circuit
US6,492,686	Integrated circuit having buffering circuitry with slew rate control

 

本案原告North Star Innovations为一专利授权公司，从飞思卡尔半导体（Freescale Semiconductor）及Motorola取得23件专利。飞思卡尔于2004年由原摩托罗拉（Motorola）的半导体部门分拆成立，虽然2015年3月3日恩智浦半导体（NXP Semiconductors）收购了飞思卡尔，但是NXP并未取得所有专利资产，Freescale将部分专利移转给North Star进行主张，以换取现金。

本案被告南亚科技公司为台塑集团旗下南亚塑料转投资公司，创立于1995年3月4日，其主要业务为动态随机存取内存（DRAM）及晶圆代工。其与美光科技（Micron）合资成立华亚科技。南亚科技近年面临多起专利诉讼，2011年9月，日本内存大厂尔必达（Elpida）分别在美国联邦法院、台湾知识产权法院、及美国ITC控告南亚科技侵犯其DRAM专利，同月南亚科技亦于美国德州东部地方法院遭专利授权公司Advanced Data Access LLC控告其DRAM涉及专利侵权。

诉状书中原告声称原告曾于2015年10月发函要求南亚科技取得其授权，但双方未达成共识，故请求法院判决原告确认被告侵权，要求其停止损害，并赔偿原告之损失。